PV-paneelikennojen tuotantoprosessi, jota et tiedä

Prosessi: teksturointi (INTEX) → diffuusio (DIFF) → jälkipuhdistus (PSG:n leikkaaminen/poisto) → heijastuksenestopinnoite (PECVD) → seulonta, sintraus (PRINTER) → testaus, lajittelu (TESTER+SORTER) → pakkaus (PACKING)

Teksturoinnin tarkoituksena on muodostaa piikiekon pintaan teksturoitu pinta kennon heijastavuuden vähentämiseksi. Teksturoidun pinnan epätasaisuus voi lisätä toissijaista heijastusta ja muuttaa optista polkua ja tulotapaa. Yleensä yksittäiskiteitä käsitellään alkalilla pyramidin muotoisen mokkan saamiseksi; polykiteitä käsitellään hapolla madonreiän muotoisen satunnaisen mokkan saamiseksi. Prosessointimenetelmien ero johtuu pääasiassa yksittäisen monikiteisen luonteesta
Tekninen prosessi: kashmirsäiliö → vesipesu → vesipesu → happopesu → vesipesu → kuivaus.
Yleensä piitä pidetään ei-reaktiivisena HF:n ja HNO3:n kanssa (piin pinta passivoituu). Kun pii on läsnä kahden sekahapon systeemissä, sen reaktio sekaliuoksen kanssa on jatkuvaa.

Diffuusio tekee akun sydämestä ja sen tehtävänä on tehdä akun P-N-liitos. POCl3 on nykyinen valinta fosforin diffuusioon. POCl3 on nestemäinen fosforilähde, ja nestemäisen fosforin lähteen diffuusion etuna on korkea tuotantotehokkuus, hyvä stabiilisuus, tasainen ja sileä PN-liitos ja hyvä diffuusiokerroksen pinta.
POCl3 hajoaa yli 600 °C:n lämpötiloissa muodostaen fosforipentakloridia (PCl5) ja fosforipentoksidia (P2O5). PCl5 on haitallista piikiekkojen pinnalle. Hapen (O2) läsnä ollessa PCl5 hajoaa P2O5:ksi ja vapauttaa kloorikaasua. Siksi ohjattu happivirtaus tuodaan, kun typpeä dispergoidaan.
Diffuusiolämpötilassa P2O5 reagoi piin kanssa muodostaen piidioksidia (SiO2) ja fosforiatomeja. Tuloksena oleva P2O5 kerrostuu piikiekon pinnalle ja jatkaa reagoimista piin kanssa muodostaen lisää SiO2- ja fosforiatomeja. Tämä prosessi johtaa fosfori-silikaattilasin (PSG) muodostumiseen piikiekon pinnalle.
Fosforiatomit diffundoituvat piiksi, mikä johtaa N-tyypin puolijohteen syntymiseen.

Diffuusioprosessin aikana käytetään peräkkäin yksipuolista diffuusiomenetelmää, joka johtaa fosforiatomien diffuusioon piikiekon sivu- ja takareunoilla.
Kun auringonvaloa on läsnä, valon synnyttämät ja P-N-liitoksen etupuolelle kerätyt elektronit virtaavat takapuolelle alueen läpi, jossa fosfori leviää reunaa pitkin aiheuttaen oikosulun.
Kanavan oikosulku vähentää rinnakkaisvastusta.
Syövytysprosessin tarkoituksena on poistaa fosforiosa piikiekon reunasta P-N-liitoksen oikosulun estämiseksi ja rinnakkaisvastuksen vähentämiseksi.
Märkäsyövytysprosessi: kalvon lataus → etsaussäiliö (H2SO4 HNO3 HF) → vesipesu → alkalihaude (KOH) → vesipesu → HF-haude → vesipesu → kalvon poisto
HNO3 reagoi ja hapettuu tuottaen SiO2:ta, kun taas HF:a käytetään SiO2:n poistamiseen. Alkalisäiliöetsausprosessi tasoittaa teksturoitumatonta pintaa ja tekee siitä tasaisen. Alkalisäiliössä käytetty pääliuos on KOH. H2SO4:a käytetään helpottamaan piikiekkojen liikkumista kokoonpanolinjalla, eikä se osallistu reaktioon.
Kuivaetsaus tarkoittaa ohutkalvoetsausta plasmalla. Kun kaasu on plasmatilassa, se muuttuu kemiallisesti aktiivisemmaksi.
Valitsemalla sopivan kaasun piikiekko voi reagoida nopeasti ja joutua syövyttämään. Lisäksi sähkökenttää käytetään plasman ohjaamiseen ja kiihdyttämiseen antaen sille energiaa. Kun piikiekon pintaa pommitetaan, piimateriaalin atomit irtoavat, jolloin etsaus saadaan aikaan fyysisen energian siirron kautta.

Plasma Chemical Vapor Deposition (PCVD) on prosessi, jolla kerrostetaan ohut kalvo piin pinnalle. Kun auringonvalo osuu piin pintaan, noin 35 % siitä heijastuu. Aurinkokennon auringonvalon imeytymisen parantamiseksi käytetään heijastuksenestokalvoa. Tämä kalvo lisää valon tuottamaa virtaa, mikä parantaa muunnostehokkuutta. Lisäksi vetyä sisältävä kalvo passivoi solun pinnan vähentäen pinnan rekombinaatiota emitteriliitoksessa. Tämä alentaa tummaa virtaa, lisää avoimen piirin jännitettä ja parantaa yleistä valosähköistä muunnostehokkuutta. Kalvossa oleva vety voi reagoida piin vikojen tai epäpuhtauksien kanssa. Tämä reaktio siirtää energiaa kielletystä kaistasta valenssikaistalle tai johtavuuskaistalle.
Tyhjiöympäristössä 480 celsiusasteen lämpötilassa piikiekon pinnalle levitetään kerros SixNy-kalvoa käyttämällä grafiittivenettä johtimena.

Yksinkertaisesti sanottuna prosessi sisältää virran keräämisen ja elektrodien luomisen aurinkokennoille. Ensin kennon takaosaan kiinnitetään hopeaelektrodi, jonka jälkeen painetaan ja kuivataan alumiininen takakenttä. Sitten front hopeaelektrodi on painettu, keskittyen aliruudukon märkäpainon ja leveyden hallintaan.
Jos toisen vaiheen märkäpaino on liian suuri, se johtaa lietteen hukkaan ja riittämättömään kuivumiseen ennen korkean lämpötilan vyöhykkeelle siirtymistä. Tämä voi johtaa orgaanisen aineen jäämiseen lietteeseen, mikä estää täydellisen muuttumisen metallialumiiniksi.
Liiallinen paino voi myös aiheuttaa aurinkokennon kaarevuuden sintrauksen jälkeen. Jos märkäpaino on liian alhainen, kaikki alumiinitahna kuluu sintrauksen aikana. Tämä muodostaa piin kanssa metalliseosalueen, joka ei sovellu takametallikontaktiin. Tämä johtuu siitä, että sivuttaisjohtavuus ja juotettavuus ovat huonoja. Lisäksi se voi aiheuttaa pullistumia tai muita ulkonäkövirheitä.
Jos kolmannen ruudukkoviivan leveys on liian leveä, se pienentää solun valoa vastaanottavaa aluetta ja heikentää tehokkuutta.
Painatusmenetelmä: fyysinen painatus, kuivaus

Sintraus on prosessi, jossa kennon pinnalle painettu elektrodi kuumennetaan korkeassa lämpötilassa. Tämä auttaa elektrodia ja piisirua muodostamaan hyvän sähköisen kontaktin, mikä parantaa kennon avoimen piirin jännitettä ja täyttökerrointa. Se varmistaa myös, että elektrodilla on alhainen vastus, mikä johtaa korkeaan muunnostehokkuuteen.
Sintraus helpottaa vedyn diffuusiota PECVD-prosessiin. Tämä solun tehokas passivointi on lisäetu.
Käytetty sintrausmenetelmä on korkean lämpötilan nopea sintraus, ja lämmitys saadaan aikaan infrapunalämmityksellä.
Sintraus on kattava diffuusio-, virtaus- ja fysikaalisten ja kemiallisten reaktioiden prosessi. Etu Ag diffundoituu piihin SiNH:n kautta, mutta ei pääse P-N-pintaan, ja takaosa Ag ja Al diffundoituvat piihin. Seoksen muodostamistarpeen vuoksi vaaditaan tietty lämpötila. Ag, Al:n ja Si:n muodostamien metalliseosten stabiilisuus on erilainen, joten on tarpeen asettaa eri lämpötilat seostuksen saavuttamiseksi.

Mosaic Solar on vuodesta 2008 lähtien keskittynyt erilaisten aurinkosähkömoduulien tuotantoon, ja tarjoamme sinulle valikoiman PERC-teknologiaa käyttäviä lasimoduuleja.

Valitse Mosaic Solar, koska meillä on laadukas aurinkopaneelitekniikka tarpeisiisi, ota yhteyttä ja luo yhdessä vihreä tulevaisuus!